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片式电容具有片式电容，容易片式化等特点，是当今移动通信设备、计算机板卡以及家电遥控器中使用多的元件之一。为了满足电子设备的整机向小型化、大容量化、高可靠性和低成本方向发展的需要，片式电容本身也在迅速地发展：种类不断增加，体积不断缩小，性能不断提高，技术不断进步，材料不断更新，轻薄短小系列产品已趋向于标准化和通用化。其应用正逐步由消费类设备向投资类设备渗透和发展。此外，片式电容还在朝着多元化的方向发展：①为了适应便携式通信工具的需求，片式电容器正向低电压、大容量、超小和超薄的方向发展。②为了适应某些电子整机(如通信设备)的发展，高耐压、大电流、大功率、超高Q值、低ESR型的中高压片式电容器也是目前的一个重要的发展方向。③为了适应线路高度集成化的要求，多功能复合片式电容器正成为技术研究热点。铁氧体磁珠还广泛应用于信号电缆的噪声滤除。深圳优势APV电感检测

X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用，而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。③Z5U电容器Z5U电容器称为“通用”陶瓷片式电容器。它主要优点的是小尺寸和低成本。对于已经讲过的三种片式电容来说，在同样的体积下，Z5U电容器具有的电容量。但它的电容量受环境和工作条件影响较大，另外介质损耗可以达到3%。尽管它的容量不稳定，但是这种电容器所特有的体积小、等效串联电感(ESL)和等效串联电阻(ESR)低、以及良好的频率响应等优点，使得这种电容器还是获得了广泛的应用，尤其是在退耦电路的应用中。南山区常规APV电感是什么当导线中电流穿过时，铁氧体对低频电流几乎没有什么阻抗，而对较高频率的电流会产生较大衰减作用。

目前常用的多层陶瓷电容器介质有三个类型：COG或NPO是超稳定材料，K值为10～100；X7R是较稳定的材料，K值为2 000～4 000；Y5V或Z5U为一般用途的材料，K值为5 000～25 000。在我国的标准里则分为I类陶瓷(C C 4和CC41)及Ⅱ类陶瓷(CT4和CT41)两种。上述材料中，COG和NPO为超稳定材料，在-55℃～+125℃范围内电容器的容量变化不超过± 30ppm/℃。其余材料是按其工作温度的范围和电容量的变化率来命名的。详见表1。几种常用的片式电容器的介质材料中：X7R使用温度范围为-50℃至+125℃；在此范围内的电容量变化可达到±15%。

⑥频率特性：电容器的电参数随电场频率而变化的性质。在高频条件下工作的电容器，由于介电常数在高频时比低频时小，电容量也相应减小。损耗也随频率的升高而增加。另外，在高频工作时，电容器的分布参数，如极片电阻、引线和极片间的电阻、极片的自身电感、引线电感等，都会影响电容器的性能。所有这些，使得电容器的使用频率受到限制。在实际使用中，除了要注意环境温度变化对电容器电容量变化的影响外，还要注意工作电压和储存时间对电容器电容量变化的影响。可以根据它对电磁干扰的抑制原理，合理使用它的抑制作用。

为了在高频时也有较好的旁路作用，必须让旁路电容的自谐振频率也较高，所以电容器的引线不能长。另外，旁路电容也不是越大越好，电容大，自谐振的频点偏低。所以，的办法是通过试验来选择合适的电容，尽可能让要抑制的干扰频率与自谐振点一致，以便使担当滤波的电容器带来的插入损耗为。由于普通的两端电容有引线电感，所以总的剩余电感较大，自谐振点也比较低。为了改进普通引线式电容器的自谐振、且自谐振频率偏低的问题，村田制作所曾发展了一种引线式三端电容器，见图7。注意：磁珠的单位是欧姆，而不是亨利，这一点要特别注意。光明区定制APV电感销售

当反射滤波器与信号源阻抗不匹配时，就会有一部分能量被反射回信号源，造成干扰电平的增强。深圳优势APV电感检测

常用型磁珠具有优异的抑制电磁干扰性能，被广泛应用于计算机、VCD等领域。BGL（H）型磁珠，也称高损耗电感器，该产品在极宽的频带范围内具有优良的抑制噪声性能。BSZ型磁珠，也称高Q值磁珠，该产品在某一频率区间，其阻值出现急剧上升，在特定频率区间可获得较高的衰减效果，主要应用于高速信号电路中，如计算机板卡。MBW型磁珠改变了一般片式磁珠额定电流小的缺点，具有大容量通流特点，其额定电流可达4A，该产品主要应用于电源滤波。深圳优势APV电感检测

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