龙岗区标准APV电感品牌

片式磁珠片式磁珠的功能主要是消除存在于传输线结构（PCB电路）中的RF噪声。片式磁珠由软磁铁氧体材料组成，构成高体积电阻率的独石结构。涡流损耗同铁氧体材料的电阻率成反比。涡流损耗随信号频率的平方成正比。 使用片式磁珠的好处：小型化和轻量化。在射频噪声频率范围内具有高阻抗，消除传输线中的电磁干扰。 闭合磁路结构，更好地消除信号的串扰。 极好的磁屏蔽结构。降低直流电阻，以免对有用信号产生过大的衰减。的高频特性和阻抗特性（更好的消除RF能量）。在高频放大电路中消除寄生振荡。是否有空间在PCB板上放置磁珠。龙岗区标准APV电感品牌

1 片式叠层陶瓷介质电容器 在片式电容器里用得多的是片式叠层陶瓷介质电容器。片式叠层陶瓷电容器(MLCC)，简称片式叠层电容器(或进一步简称为片式电容器)，是由印好电极(内电极)的陶瓷介质膜片以错位的方式叠合起来，经过一次性高温烧结形成陶瓷芯片，再在芯片的两端封上金属层(外电极)，从而形成一个类似独石的结构体，故也叫独石电容器，如图1所示。图1表明，片式叠层陶瓷电容器是一个多层叠合的结构，其实质是由多个简单平行板电容器的并联体。因此，该电容器的电容量计算公式为C=NKA/t罗湖区质量APV电感供应商BGL（H）型磁珠，也称高损耗电感器，该产品在极宽的频带范围内具有优良的抑制噪声性能。

铁氧体磁珠还广泛应用于信号电缆的噪声滤除。HH是其一个系列，主要用于电源滤波，用于信号线是HB系列；1表示一个元件封装了一个磁珠，若为4则是并排封装四个的；H表示组成物质，H、C、M为中频应用（50－200MHz），T低频应用（<50MHz），S高频应用（>200MHz）；3216封装尺寸，长3.2mm，宽1.6mm，即1206封装；500阻抗（一般为100MHz时），50ohm。其产品参数主要有三项：阻抗[Z]@100MHz(ohm)：Typical50Minimum37；直流电阻DCResistance(mohm)：Maximum20；额定电流RatedCurrent(mA)：2500他等效于电阻和电感串联，但电阻值和电感值都随频率变化。他比普通的电感有更好的高频滤波特性，在高频时呈现阻性，所以能在相当宽的频率范围内保持较高的阻抗，从而提高调频滤波效果。

在谐振电路中，电感必须具有高Q，窄的电感偏差，稳定的温度系数，才能达到谐振电路窄带，低的频率温度漂移的要求。高Q电路具有尖锐的谐振峰值。窄的电感偏置保证谐振频率偏差尽量小。稳定的温度系数保证谐振频率具有稳定的温度变化特性。标准的径向引出电感和轴向引出电感以及片式电感的差异在于封装不一样。电感结构包括介质材料（通常为氧化铝陶瓷材料）上绕制线圈，或者空心线圈以及铁磁性材料上绕制线圈。在功率应用场合，作为扼流圈使用时，电感的主要参数是直流电阻（DCR）,额定电流，和低Q值。当作为滤波器使用时，希望宽的带宽特性，因此，并不需要电感的高Q特性。低的DCR可以保证小的电压降，DCR定义为元件在没有交流信号下的直流电阻。要正确的选择磁珠，必须注意以下几点： 不需要的信号的频率范围为多少。

④GRM15/18/21/31系列片式电容器可用在一般用途的电子设备中。村田制作所还生产一种排容，在一个器件中有2至4个电容，尤其适合在单片机的总线上使用，见图5。2)片式三端电容器我们平常使用的陶瓷圆片电容器作为旁路电容，可以将高频干扰短路到地，达到抗干扰的目的。但是电容器的引线电感及电容内部的剩余电感却限制了它的高频特性发挥。图6是普通电容器做高频旁路时的引线电感影响例。从图6中可见，电容器的插入损耗一开始随频率增加而增加，直至达到自谐振频率(等效电感与电容的串联谐振)，插入损耗也达到最大值。此后，由于等效电感的感抗增大，使插入损耗开始下降。当反射滤波器与信号源阻抗不匹配时，就会有一部分能量被反射回信号源，造成干扰电平的增强。盐田区制作APV电感量大从优

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常用型磁珠具有优异的抑制电磁干扰性能，被广泛应用于计算机、VCD等领域。BGL（H）型磁珠，也称高损耗电感器，该产品在极宽的频带范围内具有优良的抑制噪声性能。BSZ型磁珠，也称高Q值磁珠，该产品在某一频率区间，其阻值出现急剧上升，在特定频率区间可获得较高的衰减效果，主要应用于高速信号电路中，如计算机板卡。MBW型磁珠改变了一般片式磁珠额定电流小的缺点，具有大容量通流特点，其额定电流可达4A，该产品主要应用于电源滤波。龙岗区标准APV电感品牌

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