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与两端电容相比，这个电容的上引线化成了两根(所以三端电容有三根引线)。三端电容器的这两根上引线化成了信号传输线的一部分，于是引线电感与电容器变成了一个“LC”滤波器。正是三端电容器巧妙地利用了引线电感，使得三端电容器对干扰的抑制作用更好。三端电容器也有自谐振问题，为了限度地限制这个问题，使用时三端电容器接地的这根引脚的长度应该受到限制。应该说片式二端电容器的出现对于改进普通引线式电容器的自谐振问题是很有好处的，因为片式二端电容器的引线长度得到了限度缩减。总阻抗通过ZR22πfL()2+:=fL来描述。典型的阻抗曲线可参见磁珠的DATASHEET。南山区质量APV电感品牌

所以当这类电容器的存放时间超过1000小时后所发生的容量偏低现象不属于产品的质量问题，其特性是符合国际规范的。对于容量偏低的电容器的通用解决办法是，即将电容器放在150℃左右的环境下预热1小时。其电容量就恢复正常值。2 片式电容器在设备电磁干扰抑制中的应用片式电容器在一般电子电路中的主要应用有：滤波、耦合、去耦、旁路、谐振、时间常数(定时)和反馈等等。其中：①滤波：并联在电源电路的正负极之间，把电路中无用的交流去掉(或将整流后的单向脉动电压中的交流分量滤掉，使单向脉动变成平滑的直流)。坪山区国产APV电感施工而需要消除不需要的EMI噪声时，使用片式磁珠是的选择。

随封装形式不同，其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同，大封装尺寸的NPO电容器要比小封装尺寸的频率特性好。NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容，以及高频电路中的耦合电容。②X7R电容器X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%，需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的，它也随时间的变化而变化，但是要比Z5U和Y5V电容器好得多。

在谐振电路中，电感必须具有高Q，窄的电感偏差，稳定的温度系数，才能达到谐振电路窄带，低的频率温度漂移的要求。高Q电路具有尖锐的谐振峰值。窄的电感偏置保证谐振频率偏差尽量小。稳定的温度系数保证谐振频率具有稳定的温度变化特性。标准的径向引出电感和轴向引出电感以及片式电感的差异在于封装不一样。电感结构包括介质材料（通常为氧化铝陶瓷材料）上绕制线圈，或者空心线圈以及铁磁性材料上绕制线圈。在功率应用场合，作为扼流圈使用时，电感的主要参数是直流电阻（DCR）,额定电流，和低Q值。当作为滤波器使用时，希望宽的带宽特性，因此，并不需要电感的高Q特性。低的DCR可以保证小的电压降，DCR定义为元件在没有交流信号下的直流电阻。磁环的使用中还有一个较好的方法是让穿过的磁环的导线反复绕几下，以增加电感量。

常用的陶瓷介质的主要成分是MgTiO3、CaTiO3、SrTiO3和TiO2再加入适量的稀土类氧化物等配制而成。其特点是介质系数较大、介质损耗低、温度系数小、环境温度适用范围广和高频特性好，用在要求较高的场合(I类瓷介电容器)中。另一类是低频高介材料称为强介铁电陶瓷，常用作Ⅱ类瓷介电容器的介质，一般以BaTiO3为主体的铁电陶瓷，其特点是介电系数特别高，达到数千，甚至上万；但是介电系数随温度呈非线性变化，介电常数随施加的外电场也有非线性关系。涡流损耗同铁氧体材料的电阻率成反比。罗湖区质量APV电感量大从优

磁珠多用于信号回路，主要用于EMI方面。南山区质量APV电感品牌

②去耦：并接于电路电源接线的正负极之间，可防止各部分电路通过电源内阻引起的相互干扰(严重时还会产生寄生振荡)。③旁路：并接在电阻两端或由某点直接跨接至共用电位点，为交直流信号中的交流或脉动信号设置一条通路，避免交流成分在通过电阻时产生压降。片式电容器在设备中的电磁干扰抑制，实际上只是片式电容器在电路中应用的一个方面，只不过为了突出《片式电磁兼容对策器件》中的“对策”作用，才把它专门列成一节。上面讲到的电源线路滤波和去耦也是设备电磁干扰抑制应用的一部分。此外还有信号线的共模滤波，信号线和电源线的辐射抑制等。南山区质量APV电感品牌

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