龙岗区定制APV电感结构

Z5U使用温度范围为+10℃至+85℃；在此范围内的电容量变化从-56%至+22%。Y5V使用温度范围为-30℃至+85℃；在此范围内的电容量变化从-82%至+22%。这些关系表明，在实际使用时，对片式电容器选择不能一味只考虑体积和价格，如果有使用的环境温度问题，还应当注意电容器的介质带来的电容量变化问题。图2画出了不同材质电容器电容量以及介质损耗随温度变化的曲线。①NPO电容器NPO电容器是电容量和介质损耗稳定的电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率及相对使用寿命的变化都非常小。在谐振电路中需要使用片式电感。龙岗区定制APV电感结构

使用铁粉芯，它们供应更好温度稳定性并且相对于其他可选磁芯成本更低。贴片电感的外形能在必要时供应灵活性与可变性，但是成本更高。高磁通磁环通常见于滤波电感而不是电源变换电路。另一种性能折衷能在电感电流，电感电压(引脚14到引脚16)与输出电压纹波典型波形中看到。运用电感量较小fdv0620-0.47μh电感产生较高峰值电流，输出电压纹波低于18mv峰峰值。贴片电感产生纹波峰峰值刚超过12mv。峰值电流对输出电容充电并且供应负载电流。在电容上会流入与流出较大电流，这将产生较高输出电压纹波。贴片电感多用于电源滤波回路， 电感是储能元件侧重，于抑止传导性干扰；贴片电感在电子设备的 PCB 板电路中会大量使用感性元件和EMI滤波器元件。在谐振电路中，电感必须具 有高Q，窄的电感偏差，稳定的温度系数，才能达到谐振电路窄带，低的频率温度漂移 的要求。高Q电路具有尖锐的谐振峰值 [1]。盐田区特制APV电感结构因为磁珠的单位是按照它在某一频率产生的阻抗来标称的，阻抗的单位也是欧姆。

但在有直流或交流偏流的情况下，还存在铁氧体饱和的问题，抑制元件横截面越大，越不易饱和，可承受的偏流越大。EMI吸收磁环/磁珠抑制差模干扰时，通过它的电流值正比于其体积，两者失调造成饱和，降低了元件性能；抑制共模干扰时，将电源的两根线（正负）同时穿过一个磁环，有效信号为差模信号，EMI吸收磁环/磁珠对其没有任何影响，而对于共模信号则会表现出较大的电感量。磁环的使用中还有一个较好的方法是让穿过的磁环的导线反复绕几下，以增加电感量。

为了在高频时也有较好的旁路作用，必须让旁路电容的自谐振频率也较高，所以电容器的引线不能长。另外，旁路电容也不是越大越好，电容大，自谐振的频点偏低。所以，的办法是通过试验来选择合适的电容，尽可能让要抑制的干扰频率与自谐振点一致，以便使担当滤波的电容器带来的插入损耗为。由于普通的两端电容有引线电感，所以总的剩余电感较大，自谐振点也比较低。为了改进普通引线式电容器的自谐振、且自谐振频率偏低的问题，村田制作所曾发展了一种引线式三端电容器，见图7。闭合磁路结构，更好地消除信号的串扰。 极好的磁屏蔽结构。

总上所述，要选对磁环，并不是看外型或体积就可以的，必须要了解它的实际参数，否则在出现问题时，如驻波高、频宽太窄、磁环严重发热或烧坏等，都不知道原因出自何处。铁氧体磁珠磁导率的测算：1、测量磁珠的外径D，内径d，环的高度H，单位mm。2、用漆包线穿绕10~20圈，绕紧点，不要太松，测量其电感量L，单位为uH，电感量大点测算误差小，电感量小测算误差就会大，请根据实际需要确定穿绕的圈数N。3、将以上数据代入下式计算出大约的磁导率u0涡流损耗同铁氧体材料的电阻率成反比。龙华区优势APV电感检测

BGL（H）型磁珠，也称高损耗电感器，该产品在极宽的频带范围内具有优良的抑制噪声性能。龙岗区定制APV电感结构

④GRM15/18/21/31系列片式电容器可用在一般用途的电子设备中。村田制作所还生产一种排容，在一个器件中有2至4个电容，尤其适合在单片机的总线上使用，见图5。2)片式三端电容器我们平常使用的陶瓷圆片电容器作为旁路电容，可以将高频干扰短路到地，达到抗干扰的目的。但是电容器的引线电感及电容内部的剩余电感却限制了它的高频特性发挥。图6是普通电容器做高频旁路时的引线电感影响例。从图6中可见，电容器的插入损耗一开始随频率增加而增加，直至达到自谐振频率(等效电感与电容的串联谐振)，插入损耗也达到最大值。此后，由于等效电感的感抗增大，使插入损耗开始下降。龙岗区定制APV电感结构

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