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通常高频信号为30MHz以上，然而，低频信号也会受到片式磁珠的影响。磁珠有很高的电阻率和磁导率，等效于电阻和电感串联。在电路中只要导线穿过它即可。高频电流在其中以热量形式散发，其等效电路为一个电感和一个电阻串联，两个组件的值都与磁珠的长度成比例。有的磁珠上有多个孔洞，用导线穿过可增加组件阻抗（穿过磁珠次数的平方）。铁氧体磁珠不仅可用于电源电路中滤除高频噪声（可用于直流和交流输出），还可广泛应用于其它电路 [1]  。输出功率开始下降的那一点就作为该磁环的温度极限。光明区常规APV电感品牌

电感和磁珠的什么联系与区别1、电感是储能元件，而磁珠是能量转换（消耗）器件2、电感多用于电源滤波回路，磁珠多用于信号回路，用于EMC对策3、磁珠主要用于抑制电磁辐射干扰，而电感用于这方面则侧重于抑制传导性干扰。两者都可用于处理EMC、EMI问题。EMI的两个途径，即：辐射和传导，不同的途径采用不同的抑制方法。前者用磁珠，后者用电感。4、磁珠是用来吸收超高频信号，象一些RF电路，PLL，振荡电路，含超高频存储器电路（DDRSDRAM，RAMBUS等）都需要在电源输入部分加磁珠，而电感是一种蓄能元件，用在LC振荡电路，中低频的滤波电路等，其应用频率范围很少超过50MHZ。龙华区优势APV电感按需定制因为磁珠的单位是按照它在某一频率产生的阻抗来标称的，阻抗的单位也是欧姆。

目前常用的多层陶瓷电容器介质有三个类型：COG或NPO是超稳定材料，K值为10～100；X7R是较稳定的材料，K值为2 000～4 000；Y5V或Z5U为一般用途的材料，K值为5 000～25 000。在我国的标准里则分为I类陶瓷(C C 4和CC41)及Ⅱ类陶瓷(CT4和CT41)两种。上述材料中，COG和NPO为超稳定材料，在-55℃～+125℃范围内电容器的容量变化不超过± 30ppm/℃。其余材料是按其工作温度的范围和电容量的变化率来命名的。详见表1。几种常用的片式电容器的介质材料中：X7R使用温度范围为-50℃至+125℃；在此范围内的电容量变化可达到±15%。

磁珠于抑制信号线、电源线上的高频噪声和尖峰干扰，还具有吸收静电脉冲的能力。磁珠是用来吸收超高频信号，像一些RF电路，PLL，振荡电路，含超高频存储器电路（DDR SDRAM，RAMBUS等）都需要在电源输入部分加磁珠，而电感是一种蓄能元件，用在LC振荡电路，中低频的滤波电路等，其应用频率范围很少超过50MHZ。 磁珠有很高的电阻率和磁导率，等效于电阻和电感串联，但电阻值和电感值都随频率变化。磁珠的功能主要是消除存在于传输线结构（电路）中的RF噪声，RF能量是叠加在直流传输电平上的交流正弦波成分，直流成分是需要的有用信号。要消除这些不需要的信号能量，使用片式磁珠扮演高频电阻的角色（衰减器）。大电流滤波应采用结构上专门设计的磁珠，还要注意其散热措施。

常用型磁珠具有优异的抑制电磁干扰性能，被广泛应用于计算机、VCD等领域。BGL（H）型磁珠，也称高损耗电感器，该产品在极宽的频带范围内具有优良的抑制噪声性能。BSZ型磁珠，也称高Q值磁珠，该产品在某一频率区间，其阻值出现急剧上升，在特定频率区间可获得较高的衰减效果，主要应用于高速信号电路中，如计算机板卡。MBW型磁珠改变了一般片式磁珠额定电流小的缺点，具有大容量通流特点，其额定电流可达4A，该产品主要应用于电源滤波。磁珠对高频信号才有较大阻碍作用，一般规格有100欧/100MHZ ,它在低频时电阻比电感小得多。南山区国产APV电感按需定制

电感多用于电源滤波回路，侧重于抑止传导性干扰；光明区常规APV电感品牌

②额定工作电压：电容器在电路中能够长期稳定、可靠工作，所承受的直流电压，又称耐压。对于结构、介质、容量相同的器件，耐压越高，体积越大。③温度系数：在一定温度范围内，温度每变化1℃，电容量的相对变化值。温度系数越小越好。④绝缘电阻：用来表明漏电大小的。一般小容量的电容，绝缘电阻很大，在几百兆欧姆或几千兆欧姆。电解电容的绝缘电阻一般较小。相对而言，绝缘电阻越大越好，漏电也小。⑤损耗：在电场的作用下，电容器在单位时间内发热而消耗的能量。这些损耗主要来自介质损耗和金属损耗。通常用损耗角正切值来表示。光明区常规APV电感品牌

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