宝安区什么是APV电感结构

为了使片式电容干扰抑制的效果更加显现，有时往往还要与片式磁珠和片式电感器结合起来一起使用。现时还有一种将电容和电感综合在一个元件里的片式叠层复合器件可以供应，使得使用更加方便，使用效果也更好。3 片式电容器的线路形式1)片式二端电容器二端形式的片式电容器是使用普遍的片式电容器，这里以日本村田制作所产品为例给说明。村田的片式电容器产品极其丰富，有一般的去耦和滤波用电容器(规格多、容量大，还有排容产品)，以及频率控制、调谐和阻抗匹配用电容器(带温度补偿)，高速和高频电路去耦用电容器(低电感和低电阻)，中、高压转换用电容器(高电压、大容量)，交流电路用电容器(符合安规要求)以及汽车传动与安全设备电容器等等。用户可根据不同需要予以选择合适的电容器。从过往的实验结果看，55度时，那些EMI磁环还没有出现输出功率下降的情况。宝安区什么是APV电感结构

总上所述，要选对磁环，并不是看外型或体积就可以的，必须要了解它的实际参数，否则在出现问题时，如驻波高、频宽太窄、磁环严重发热或烧坏等，都不知道原因出自何处。铁氧体磁珠磁导率的测算：1、测量磁珠的外径D，内径d，环的高度H，单位mm。2、用漆包线穿绕10~20圈，绕紧点，不要太松，测量其电感量L，单位为uH，电感量大点测算误差小，电感量小测算误差就会大，请根据实际需要确定穿绕的圈数N。3、将以上数据代入下式计算出大约的磁导率u0宝安区什么是APV电感结构磁珠对高频信号才有较大阻碍作用，一般规格有100欧/100MHZ ,它在低频时电阻比电感小得多。

目前常用的多层陶瓷电容器介质有三个类型：COG或NPO是超稳定材料，K值为10～100；X7R是较稳定的材料，K值为2 000～4 000；Y5V或Z5U为一般用途的材料，K值为5 000～25 000。在我国的标准里则分为I类陶瓷(C C 4和CC41)及Ⅱ类陶瓷(CT4和CT41)两种。上述材料中，COG和NPO为超稳定材料，在-55℃～+125℃范围内电容器的容量变化不超过± 30ppm/℃。其余材料是按其工作温度的范围和电容量的变化率来命名的。详见表1。几种常用的片式电容器的介质材料中：X7R使用温度范围为-50℃至+125℃；在此范围内的电容量变化可达到±15%。

为了在高频时也有较好的旁路作用，必须让旁路电容的自谐振频率也较高，所以电容器的引线不能长。另外，旁路电容也不是越大越好，电容大，自谐振的频点偏低。所以，的办法是通过试验来选择合适的电容，尽可能让要抑制的干扰频率与自谐振点一致，以便使担当滤波的电容器带来的插入损耗为。由于普通的两端电容有引线电感，所以总的剩余电感较大，自谐振点也比较低。为了改进普通引线式电容器的自谐振、且自谐振频率偏低的问题，村田制作所曾发展了一种引线式三端电容器，见图7。当导线中电流穿过时，铁氧体对低频电流几乎没有什么阻抗，而对较高频率的电流会产生较大衰减作用。

使用片式磁珠和片式电感的原因：是使用片式磁珠还是片式电感主要还在于应用。在谐振电路中需要使用片式电感。而需要消除不需要的EMI噪声时，使用片式磁珠是的选择。片式磁珠和片式电感的应用场合： 片式电感：射频（RF）和无线通讯，信息技术设备，雷达检波器，汽车电子，蜂窝电话，寻呼机，音频设备，PDAs（个人数字助理），无线遥控系统以及低压供电模块等。片式磁珠：时钟发生电路，模拟电路和数字电路之间的滤波，I/O输入/输出内部连接器（比如串口，并口，键盘，鼠标，长途电信，本地局域网），射频（RF）电路和易受干扰的逻辑设备之间，供电电路中滤除高频传导干扰，计算机，打印机，录像机（VCRS）,电视系统和手提电话中的EMI噪声抑止 [1]  。可以根据它对电磁干扰的抑制原理，合理使用它的抑制作用。龙岗区品牌APV电感性能

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Z5U使用温度范围为+10℃至+85℃；在此范围内的电容量变化从-56%至+22%。Y5V使用温度范围为-30℃至+85℃；在此范围内的电容量变化从-82%至+22%。这些关系表明，在实际使用时，对片式电容器选择不能一味只考虑体积和价格，如果有使用的环境温度问题，还应当注意电容器的介质带来的电容量变化问题。图2画出了不同材质电容器电容量以及介质损耗随温度变化的曲线。①NPO电容器NPO电容器是电容量和介质损耗稳定的电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率及相对使用寿命的变化都非常小。宝安区什么是APV电感结构

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