龙华区质量APV电感结构

式中，C为电容量；N为电极层数；K为介电常数(俗称K值)；A为相对电极覆盖面积；t为电极间距(介质厚度)。由此式可见，为了实现片式叠层陶瓷电容器大容量和小体积的要求。只要增大N(增加层数)便可增大电容量。当然采用高K值材料(降低稳定性能)、增加A(增大体积)和减小t(降低电压耐受能力)也是可以采取的办法。这里特别说一说介电常数K值，它取决于电容器中填充介质的陶瓷材料。电容器使用的环境温度、工作电压和频率、以及工作的时间(长期工作的稳定性)等对不同的介质会有不同的影响。通常介电常数(K值)越大，稳定性、可靠性和耐用性能越差。BGL（H）型磁珠，也称高损耗电感器，该产品在极宽的频带范围内具有优良的抑制噪声性能。龙华区质量APV电感结构

X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用，而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。③Z5U电容器Z5U电容器称为“通用”陶瓷片式电容器。它主要优点的是小尺寸和低成本。对于已经讲过的三种片式电容来说，在同样的体积下，Z5U电容器具有的电容量。但它的电容量受环境和工作条件影响较大，另外介质损耗可以达到3%。尽管它的容量不稳定，但是这种电容器所特有的体积小、等效串联电感(ESL)和等效串联电阻(ESR)低、以及良好的频率响应等优点，使得这种电容器还是获得了广泛的应用，尤其是在退耦电路的应用中。广东制作APV电感特点可以根据它对电磁干扰的抑制原理，合理使用它的抑制作用。

电感和磁珠的什么联系与区别1、电感是储能元件，而磁珠是能量转换（消耗）器件2、电感多用于电源滤波回路，磁珠多用于信号回路，用于EMC对策3、磁珠主要用于抑制电磁辐射干扰，而电感用于这方面则侧重于抑制传导性干扰。两者都可用于处理EMC、EMI问题。EMI的两个途径，即：辐射和传导，不同的途径采用不同的抑制方法。前者用磁珠，后者用电感。4、磁珠是用来吸收超高频信号，象一些RF电路，PLL，振荡电路，含超高频存储器电路（DDRSDRAM，RAMBUS等）都需要在电源输入部分加磁珠，而电感是一种蓄能元件，用在LC振荡电路，中低频的滤波电路等，其应用频率范围很少超过50MHZ。

目前常用的多层陶瓷电容器介质有三个类型：COG或NPO是超稳定材料，K值为10～100；X7R是较稳定的材料，K值为2 000～4 000；Y5V或Z5U为一般用途的材料，K值为5 000～25 000。在我国的标准里则分为I类陶瓷(C C 4和CC41)及Ⅱ类陶瓷(CT4和CT41)两种。上述材料中，COG和NPO为超稳定材料，在-55℃～+125℃范围内电容器的容量变化不超过± 30ppm/℃。其余材料是按其工作温度的范围和电容量的变化率来命名的。详见表1。几种常用的片式电容器的介质材料中：X7R使用温度范围为-50℃至+125℃；在此范围内的电容量变化可达到±15%。铁氧体磁珠还广泛应用于信号电缆的噪声滤除。

5、电感一般用于电路的匹配和信号质量的控制上。一般地的连接和电源的连接。在模拟地和数字地结合的地方用磁珠。对信号线也采用磁珠。磁珠的大小（确切的说应该是磁珠的特性曲线）取决于需要磁珠吸收的干扰波的频率。磁珠就是阻高频，对直流电阻低，对高频电阻高。比如1000R@100Mhz就是说对100M频率的信号有1000欧姆的电阻。因为磁珠的单位是按照它在某一频率产生的阻抗来标称的，阻抗的单位也是欧姆。磁珠的DATASHEET上一般会附有频率和阻抗的特性曲线图。一般以100MHz为标准，比如2012B601，就是指在100MHz的时候磁珠的Impedance为600欧姆。因为磁珠的单位是按照它在某一频率 产生的阻抗来标称的，阻抗的单位也是欧姆。罗湖区制作APV电感性能

在谐振电路中需要使用片式电感。龙华区质量APV电感结构

下面是村田制作所的GRM15/18/21/31系列的片式电容器，见图4：①GRM18/21/31系列片式电容器适合于波峰及回流焊接；GRM15系列片式电容器只适合回流焊接。②GRM1 5/18/21/31系列片式电容器备有长×宽×厚度为1．0×0．5×0．5mm至3．2×1．6×1．6mm的多种尺寸可供选用。③GRM15/18/21/31系列片式电容器的适用电压包括6．3V、10V、16V、25V、50V、100V。200V和500V等多个等级；根据使用的介质材料分，有COG至Y5V等多种片式电容器可以选择。龙华区质量APV电感结构

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