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通常镍材磁芯带宽，Q值与U之间有一个平衡关系，U值越高Q值就越低，反之亦是。U值低频工作困难，但损耗小，U值高低频工作较易，但磁芯损耗太大，功率损耗也大，基本上难于连续工作。使用U值400的磁环应该可以大幅降低磁损耗。虽然电感量低了些，但可以增加绕线圈数来解决。以1:4变压器为例子，1圈的初级改成两圈；2圈的次级改为4圈。这样绕线总长度要增加一倍，传输频率也要相应降低。居里温度一般磁环居里温度110℃，达到这一温度以后立刻失去磁性，有如空气介质一般；恢复室温以后，磁性能发生了性改变，磁导率降低了10%。铁氧体是磁性材料，会因通过电流过大而产生磁饱和，导磁率急剧下降。罗湖区制作APV电感供应商

2. 普通滤波器是由无损耗的电抗元件构成的，它在线路中的作用是将阻带频率反射回信号源，所以这类滤波器又叫反射滤波器。当反射滤波器与信号源阻抗不匹配时，就会有一部分能量被反射回信号源，造成干扰电平的增强。为解决这一弊病，可在滤波器的进线上使用铁氧体磁环或磁珠套，利用滋环或磁珠对高频信号的涡流损耗，把高频成分转化为热损耗。因此磁环和磁珠实际上对高频成分起吸收作用，所以有时也称之为吸收滤波器。不同的铁氧体抑制元件，有不同的抑制频率范围。通常磁导率越高，抑制的频率就越低。此外，铁氧体的体积越大，抑制效果越好。在体积一定时，长而细的形状比短而粗的抑制效果好，内径越小抑制效果也越好。罗湖区制作APV电感供应商磁珠的单位是欧姆，而不是亨利，这一点要特别注意。

1 片式叠层陶瓷介质电容器 在片式电容器里用得多的是片式叠层陶瓷介质电容器。片式叠层陶瓷电容器(MLCC)，简称片式叠层电容器(或进一步简称为片式电容器)，是由印好电极(内电极)的陶瓷介质膜片以错位的方式叠合起来，经过一次性高温烧结形成陶瓷芯片，再在芯片的两端封上金属层(外电极)，从而形成一个类似独石的结构体，故也叫独石电容器，如图1所示。图1表明，片式叠层陶瓷电容器是一个多层叠合的结构，其实质是由多个简单平行板电容器的并联体。因此，该电容器的电容量计算公式为C=NKA/t

④Y5V电容器Y5V电容器是一种有一定温度限制的通用电容器，在-30℃到+85℃范围内其容量变化可以达到+22%至-82%，另外介质损耗可以达到5%。但是Y5V的高介电常数允许在较小的物理尺寸下制造出高达4．7μF的电容器。下面是用以说明片式电容器性能的主要技术指标：①容量与误差：实际电容量和标称电容量允许的偏差范围。常用的电容器其精度等级和电阻器的表示方法相同。用字母表示：D级：±0．5%；F级：±1%；G级：±2%；J级：±5%；K级：±10%；M级：±20%。磁珠主要用于高频隔离，抑制差模噪声等。

所以当这类电容器的存放时间超过1000小时后所发生的容量偏低现象不属于产品的质量问题，其特性是符合国际规范的。对于容量偏低的电容器的通用解决办法是，即将电容器放在150℃左右的环境下预热1小时。其电容量就恢复正常值。2 片式电容器在设备电磁干扰抑制中的应用片式电容器在一般电子电路中的主要应用有：滤波、耦合、去耦、旁路、谐振、时间常数(定时)和反馈等等。其中：①滤波：并联在电源电路的正负极之间，把电路中无用的交流去掉(或将整流后的单向脉动电压中的交流分量滤掉，使单向脉动变成平滑的直流)。在体积一定时，长而细的形状比短而粗的抑制效果好，内径越小抑制效果也越好。罗湖区制作APV电感供应商

因为磁珠的单位是按照它在某一频率产生的阻抗来标称的，阻抗的单位也是欧姆。罗湖区制作APV电感供应商

磁珠有很高的电阻率和磁导率，他等效于电阻和电感串联，但电阻值和电感值都随频率变化。 他比普通的电感有更好的高频滤波特性，在高频时呈现阻性，所以能在相当宽的频率范围内保持较高的阻抗，从而提高调频滤波效果。作为电源滤波，可以使用电感。磁珠的电路符号就是电感但是型号上可以看出使用的是磁珠。在电路功能上，磁珠和电感是原理相同的，只是频率特性不同罢了。磁珠的电路元件符号直流成分是需要的有用信号，而射频RF能量却是无用的电磁干扰沿着线路传输和辐射（EMI）。要消除这些不需要的信号能量，使用片式磁珠扮演高频电阻的角色（衰减器），该器件允许直流信号通过，而滤除交流信号。罗湖区制作APV电感供应商

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