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坪山区制作APV电感结构

来源: 发布时间:2023年12月18日

当贴片电感通过的电流变化时,贴片电感中产生的直流电压势将阻止电流的变化。当通过电感线圈的电流增大时,电感线圈产生的自感电动势与电当通过电感线圈的电流减小时,自感电动势与电流方向相同,阻止电流的减小,同时释放出存储的能量,以补偿电流的减小。流方向相反,阻止电流的增加,同时将一部分电能转化成磁场能存储于电感之中;因此经电感滤波后,不但负载电流及电压的脉动减小,波形变得平滑,而且整流二极管的导通角增大。因为磁珠的单位是按照它在某一频率产生的阻抗来标称的,阻抗的单位也是欧姆。坪山区制作APV电感结构

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①电容器的使用电压对电容器的电容量有影响,稳定性低的介质,在施加额定工作电压后容量会大幅度下降(见图3),以至达不到使用效果,这一点在选择电容器时必须给以充分注意(不能一味追求大容量和小体积,必须在容量和使用电压上留有充分余地)。②储存时间对电容器的容量也有影响,对超稳定的电容器,如COG和X7R,随时间增长电容器容量的变化不大。可是Z5U/Y5V这类电容,随时间增长,存放1 000小时的电容量变化可以高达5%~10%,或更大。但是这类电容器容量的老化是可逆的。每次将电容温度升到125℃,老化过程便重新开始。坪山区制作APV电感结构闭合磁路结构,更好地消除信号的串扰。 极好的磁屏蔽结构。

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当导线穿过这种铁氧体磁芯时,所构成的电感阻抗在形式上是随着频率的升高而增加,但是在不同频率时其机理是完全不同的。在低频段,阻抗由电感的感抗构成,低频时R很小,磁芯的磁导率较高,因此电感量较大,L起主要作用,电磁干扰被反射而受到抑制,并且这时磁芯的损耗较小,整个器件是一个低损耗、高Q特性的电感,这种电感容易造成谐振因此在低频段,有时可能出现使用铁氧体磁珠后干扰增强的现象。在高频段,阻抗由电阻成分构成,随着频率升高,磁芯的磁导率降低,导致电感的电感量减小,感抗成分减小 但是,这时磁芯的损耗增加,电阻成分增加,导致总的阻抗增加,当高频信号通过铁氧体时,电磁干扰被吸收并转换成热能的形式耗散掉。

5、电感一般用于电路的匹配和信号质量的控制上。一般地的连接和电源的连接。在模拟地和数字地结合的地方用磁珠。对信号线也采用磁珠。磁珠的大小(确切的说应该是磁珠的特性曲线)取决于需要磁珠吸收的干扰波的频率。磁珠就是阻高频,对直流电阻低,对高频电阻高。比如1000R@100Mhz就是说对100M频率的信号有1000欧姆的电阻。因为磁珠的单位是按照它在某一频率产生的阻抗来标称的,阻抗的单位也是欧姆。磁珠的DATASHEET上一般会附有频率和阻抗的特性曲线图。一般以100MHz为标准,比如2012B601,就是指在100MHz的时候磁珠的Impedance为600欧姆。噪声源是谁。需要多大的噪声衰减。

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电感和磁珠的什么联系与区别1、电感是储能元件,而磁珠是能量转换(消耗)器件2、电感多用于电源滤波回路,磁珠多用于信号回路,用于EMC对策3、磁珠主要用于抑制电磁辐射干扰,而电感用于这方面则侧重于抑制传导性干扰。两者都可用于处理EMC、EMI问题。EMI的两个途径,即:辐射和传导,不同的途径采用不同的抑制方法。前者用磁珠,后者用电感。4、磁珠是用来吸收超高频信号,象一些RF电路,PLL,振荡电路,含超高频存储器电路(DDRSDRAM,RAMBUS等)都需要在电源输入部分加磁珠,而电感是一种蓄能元件,用在LC振荡电路,中低频的滤波电路等,其应用频率范围很少超过50MHZ。在需要使用片式电感的场合,要求电感实现以下两个基本功能:电路谐振和扼流电抗。坪山区制作APV电感结构

在体积一定时,长而细的形状比短而粗的抑制效果好,内径越小抑制效果也越好。坪山区制作APV电感结构

X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用,而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。③Z5U电容器Z5U电容器称为“通用”陶瓷片式电容器。它主要优点的是小尺寸和低成本。对于已经讲过的三种片式电容来说,在同样的体积下,Z5U电容器具有的电容量。但它的电容量受环境和工作条件影响较大,另外介质损耗可以达到3%。尽管它的容量不稳定,但是这种电容器所特有的体积小、等效串联电感(ESL)和等效串联电阻(ESR)低、以及良好的频率响应等优点,使得这种电容器还是获得了广泛的应用,尤其是在退耦电路的应用中。坪山区制作APV电感结构

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