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而与此同时，磁芯的损耗(涡流损耗) 却在增加。后者等效为损耗电阻，电阻成分的增加，导致磁珠在线路上的总阻抗依然在增加，所以当高频干扰通过铁氧体时，磁珠对高频干扰的阻挡作用依然在增 加，不过这次磁珠不是将高频干扰反射回干扰源，而是将高频干扰转换成热能的形式给耗散掉了。这样看来，电感器和磁珠在结构上没有本质性的不同，但是从抑制干扰的机理(依照抑制干扰的频率范围来划分)来说，两者明显是不同的，一个是将干扰反射回干扰源(指电感)，另一个是将干扰吸收掉(指磁珠)。具有小型化高能量储存和低电阻之特性。龙岗区常规片式电感供应商

类似于电容中的直流偏置，厂商A的2.2μH电感可能与厂商B的完全不同。在相关温度范围内电感值与直流电流的关系是一条非常重要的曲线，必需向厂商索取。在这条曲线上可以查到额定饱和电流(ISAT)。ISAT一般定义为电感值降量为额定值的30[[%]]时的直流电流。某些电感生产商没有规定ISAT。他们可能只给出了温度高于环境温度40℃时的直流电流。使用铁粉芯，它们供应更好温度稳定性并且相对于其他可选磁芯成本更低。贴片电感的外形能在必要时供应灵活性与可变性，但是成本更高。高磁通磁环通常见于滤波电感而不是电源变换电路。另一种性能折衷能在电感电流，电感电压(引脚14到引脚16)与输出电压纹波典型波形中看到。运用电感量较小fdv0620-0.47μh电感产生较高峰值电流，输出电压纹波低于18mv峰峰值。龙岗区常规片式电感供应商高Q电路具有尖锐的谐振峰值 [1] 。

绕线型它的特点是电感量范围广(mH～H)，电感量精度高，损耗小(即Q大)，容许电流大、制作工艺继承性强、简单、成本低等，但不足之处是在进一步小型化方 面受到限制。陶瓷为芯的绕线型片电感器在这样高的频率能够保持稳定的电感量和相当高的Q值，因而在高频回路中占据一席之地。TDK的NL系列电感为绕线型，0.01~100uH，精度5%，高Q值，可以满足一般需求。NLC型 适用于电源电路，额定电流可达300mA;NLV型为 高Q值，环保(再造塑料)，可与NL互换;NLFC 有磁屏，适用于电源线。

对PC板对板、不同功能线路与线路、电器与线路之间，也必须考虑消除瞬态能量的问题，长期以来，也有人曾使用过较小的放电间隙和硅压敏电阻对线路进行保护。但就放电间隙而言，它在线路中仍然需要齐纳二极管来降低触发放电间隙的初始上升电压，虽然硅压敏电阻器具有优良的V-I特性，也被地应用在集成电路保护等方面。但是由于硅压敏电阻器的齐纳效应，使其具有较低的浪涌能量吸收值，其结果是硅芯片把能量转化成热量，随着温度的升高，致使部分芯片蚀化，从而引起元件失效。而使用多层片式压敏电阻器后，就能有效地弥补了上述两种原器件的不足，并且提高了保护集成电路免遭大电流破坏的能力。他们可能只给出了温度高于环境温度40℃时的直流电流。

薄膜片式具有在微波频段保持高Q、高精度、高稳定性和小体积的特性。其内电极集中于同一层面，磁场分布集中，能确保装贴后的器件参数变化不大，在100MHz以上呈现良好的频率特性。编织型特点是在1MHz下的单位体积电感量比其它片式电感器大、体积小、容易安装在基片上。用作功率处理的微型磁性元件。片式电感与片式磁珠的区别在《片式电磁兼容对策器件》这个话题中，片式电感主要是用来抑制电磁干扰的发生。所以比较电感器与磁珠(包括片式电感与片式磁珠)也应该从这个主题出发。高磁通磁环通常见于滤波电感而不是电源变换电路。深圳特制片式电感量大从优

贴片电感产生纹波峰峰值刚超过12mv。峰值电流对输出电容充电并且供应负载电流。龙岗区常规片式电感供应商

电感器本身是一个无功元件，它在电路中不消耗能量。电感器之所以能够阻止高频信号在线路中流通，发挥对电磁干扰的抑制作用，是因为电感器在高频信号作用现了一个高阻抗元件，阻止了高频信号在线路中的流通，而将高频信号反射回干扰源。就这个应用的频率范围来说，很少有超过50MHz的。对磁珠来说，它本身是一个软磁铁氧体磁芯，串联在需要抑制干扰的线路上，诚然在频率较低时，铁氧体磁珠在串联电路上仍然体现为一个电感。然而对于频率更高 的干扰，由于磁芯的磁导率的降低，导致电感的电感量减小，感抗成分减小，因此磁珠电感对于高频干扰的阻挡作用在减少。龙岗区常规片式电感供应商

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