福田区制作共模电感性能

线圈的电感量相同时，其直流电阻越小，Q值越高；所用导线的直径越大，其Q值越大；若采用多股线绕制时，导线的股数越多，Q值越高；线圈骨架（或铁芯）所用材料的损耗越小，其Q值越高。例如，高硅硅钢片做铁芯时，其Q值较用普通硅钢片做铁芯时高；线圈分布电容和漏磁越小，其Q值越高。例如，蜂房式绕法的线圈，其Q值较平绕时为高，比乱绕时也高；线圈无屏蔽罩，安装位置周围无金属构件时，其Q值较高，相反，则Q值较低。屏蔽罩或金属构件离线圈越近，其Q值降低越严重；对有磁芯的的位置要适当安排合理；天线线圈与振荡线圈应相互垂直，这就避免了相互耦合的影响。发热比较严重，也是根据我实测的：90V输入满载室温下，可以到快90度；福田区制作共模电感性能

如果芯体具有差模电感，那么，差模电流就会使芯体内的磁通发生偏离零点，如果偏离太大，芯体便会发生磁饱和现象，使共模电感基本与无磁芯的电感一样。3.共模扼流圈综述滤波器设计时，假定共模与差模这两部分是彼此的。然而，这两部分并非真正，因为共模扼流圈可以提供相当大的差模电感。这部分差模电感可由分立的差模电感来模拟。为了利用差模电感，在滤波器的设计过程与差模不应同时进行，而应该按照一定的顺序来做。首先，应该测量共模噪声并将其滤除掉。采用差模抑制网络（Differential Mode Rejection Network），可以将差模成分消除，因此就可以直接测量共模噪声了。光明区什么是共模电感结构如果共模扼流圈达到饱和，那么在输入浪涌增加时，发射将会增加。

上述三点只是主板设计中除电路设计之外的几个主要防EMI设计，由此可见，主板的防EMI设计是一个整体的概念，如果整体的设计不合格，就会带来较大的电磁辐射，而这些也不是一个小小的共模电感所能弥补的。共模电感缺失=防EMI性能低下？这样的说法显然是颇为片面的。诚然，由于国家的EMI相关规范并不健全，部分厂商为了省料就钻了这个空子，在整体防EMI性能上都大肆省料压缩成本(其中就包括共模电感的省略)，这样做的直接后果就是主板防EMI性能极其低下；但是对于那些整体设计，用料不缩水的主板，即使没有共模电感，其整体防EMI性能仍能达到相关要求，这样的产品仍然是合格的。因此，单纯就是否有共模电感这一点来判断主板的优劣并不恰当.

线电流监视器作为触发源。不过，使用电流探头的一个隐患是差模电流衰减是管芯内绕组导线对称性的函数。如果精心合理安排绕线布局的话，30dB左右的差模电流衰减是能够得到的。即使达到这个衰减值，测得的差模分量也可能超过预期的共模分量值。可用如下两项技术来解决这一问题：将一只6kHz转折频率的高阶高通滤波器与示波器串联（注意应用50的终端阻抗进行匹配）。第二，在每只10μF的电容与电源总线之间接入一根导线。为了测量共模辐射，电流探头应夹在这些载有极小线电流的导线近旁。共模扼流圈管芯两侧的磁场相互抵消，因此不存在磁通使管芯饱和。

为获得截止频点（Wc）恰当的响应，二阶滤波器的设计要求比一阶滤波器更为严格。但是，其对更高的频率上的关注度有所降低。对于高阶滤波器而言，其设计过程所需要关注的关键因素之一是拐角频率的衰减特性。在二阶滤波器的设计中，阻尼因子通常用希腊字母ζ表示）既描述了拐角频率处的增益也描述了滤波器的时域响应，是表达上述关键因素特性的重要表征特征。三阶滤波器设计三阶滤波器理想地在截止频率处产生每倍频程18dB 的衰减（如果三个拐角频率并不是同步则会有多个截止频率点），这是这种高阶滤波器明显的特征。如果测试人员相当谨慎，那么就可以采取类似MIL-STD-461中的测试装置来检测共模扼流圈的饱和特性。龙岗区优势共模电感是什么

进行此项测试需要一台示波器和一个差模抑制网络（DMRN）。福田区制作共模电感性能

为什么共模电感能防EMI？要弄清楚这点，我们需要从共模电感的结构开始分析。图2 图3共模电感的滤波电路，La和Lb就是共模电感线圈。这两个线圈绕在同一铁芯上，匝数和相位都相同(绕制反向)。这样，当电路中的正常电流流经共模电感时，电流在同相位绕制的电感线圈中产生反向的磁场而相互抵消，此时正常信号电流主要受线圈电阻的影响(和少量因漏感造成的阻尼)；当有共模电流流经线圈时，由于共模电流的同向性，会在线圈内产生同向的磁场而增大线圈的感抗，使线圈表现为高阻抗，产生较强的阻尼效果，以此衰减共模电流，达到滤波的目的。福田区制作共模电感性能

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