深圳国产APV电感施工

有效的工作在几个MHz到几百MHz的频率范围内。要正确的选择磁珠，必须注意以下几点： 不需要的信号的频率范围为多少。 噪声源是谁。需要多大的噪声衰减。 环境条件是什么（温度，直流电压，结构强度）。 电路和负载阻抗是多少。是否有空间在PCB板上放置磁珠。总阻抗通过ZR22πfL()2+:=fL来描述。典型的阻抗曲线可参见磁珠的DATASHEET。通过这一曲线，选择在希望衰减噪声的频率范围内具有阻抗而在低频和直流下信号衰减尽量小的磁珠型号。 片式磁珠在过大的直流电压下，阻抗特性会受到影响，另外，如果工作温升过高，或者外部磁场过大，磁珠的阻抗都会受到不利的影响。小型化和轻量化。在射频噪声频率范围内具有高阻抗，消除传输线中的电磁干扰。深圳国产APV电感施工

Z5U使用温度范围为+10℃至+85℃；在此范围内的电容量变化从-56%至+22%。Y5V使用温度范围为-30℃至+85℃；在此范围内的电容量变化从-82%至+22%。这些关系表明，在实际使用时，对片式电容器选择不能一味只考虑体积和价格，如果有使用的环境温度问题，还应当注意电容器的介质带来的电容量变化问题。图2画出了不同材质电容器电容量以及介质损耗随温度变化的曲线。①NPO电容器NPO电容器是电容量和介质损耗稳定的电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率及相对使用寿命的变化都非常小。深圳国产APV电感施工当导线中电流穿过时，铁氧体对低频电流几乎没有什么阻抗，而对较高频率的电流会产生较大衰减作用。

④Y5V电容器Y5V电容器是一种有一定温度限制的通用电容器，在-30℃到+85℃范围内其容量变化可以达到+22%至-82%，另外介质损耗可以达到5%。但是Y5V的高介电常数允许在较小的物理尺寸下制造出高达4．7μF的电容器。下面是用以说明片式电容器性能的主要技术指标：①容量与误差：实际电容量和标称电容量允许的偏差范围。常用的电容器其精度等级和电阻器的表示方法相同。用字母表示：D级：±0．5%；F级：±1%；G级：±2%；J级：±5%；K级：±10%；M级：±20%。

大电流贴片采封闭磁路结构，可高密度安装、并避免干扰，良好的焊锡性、及耐热性，大电流达6A。使用在笔记型电脑、磁片驱动装置、喷墨印表机、硬碟磁碟机、影印机、显示监视器、游戏机、彩色电视、录放影机、光碟机、摄影机、数位相机、汽车电子产品、防干扰对策上。1. 磁珠的单位是欧姆，而不是亨利，这一点要特别注意。因为磁珠的单位是按照它在某一频率 产生的阻抗来标称的，阻抗的单位也是欧姆。磁珠的 DATASHEET上一般会提供频率和阻抗的特性曲线图，一般以100MHz为标准，比如600R@100MHz，意思就是在100MHz频率的时候磁珠的阻抗相当于600欧姆。谐振电路包括谐振发生电路，振荡电路，时钟电路，脉冲电路，波形发生电路等等。

1 片式叠层陶瓷介质电容器 在片式电容器里用得多的是片式叠层陶瓷介质电容器。片式叠层陶瓷电容器(MLCC)，简称片式叠层电容器(或进一步简称为片式电容器)，是由印好电极(内电极)的陶瓷介质膜片以错位的方式叠合起来，经过一次性高温烧结形成陶瓷芯片，再在芯片的两端封上金属层(外电极)，从而形成一个类似独石的结构体，故也叫独石电容器，如图1所示。图1表明，片式叠层陶瓷电容器是一个多层叠合的结构，其实质是由多个简单平行板电容器的并联体。因此，该电容器的电容量计算公式为C=NKA/t铁氧体是磁性材料，会因通过电流过大而产生磁饱和，导磁率急剧下降。深圳国产APV电感施工

使用片式磁珠和片式电感的原因：是使用片式磁珠还是片式电感主要还在于应用。深圳国产APV电感施工

在谐振电路中，电感必须具有高Q，窄的电感偏差，稳定的温度系数，才能达到谐振电路窄带，低的频率温度漂移的要求。高Q电路具有尖锐的谐振峰值。窄的电感偏置保证谐振频率偏差尽量小。稳定的温度系数保证谐振频率具有稳定的温度变化特性。标准的径向引出电感和轴向引出电感以及片式电感的差异在于封装不一样。电感结构包括介质材料（通常为氧化铝陶瓷材料）上绕制线圈，或者空心线圈以及铁磁性材料上绕制线圈。在功率应用场合，作为扼流圈使用时，电感的主要参数是直流电阻（DCR）,额定电流，和低Q值。当作为滤波器使用时，希望宽的带宽特性，因此，并不需要电感的高Q特性。低的DCR可以保证小的电压降，DCR定义为元件在没有交流信号下的直流电阻。深圳国产APV电感施工

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