光明区常规APV电感结构

铁氧体磁珠还广泛应用于信号电缆的噪声滤除。HH是其一个系列，主要用于电源滤波，用于信号线是HB系列；1表示一个元件封装了一个磁珠，若为4则是并排封装四个的；H表示组成物质，H、C、M为中频应用（50－200MHz），T低频应用（<50MHz），S高频应用（>200MHz）；3216封装尺寸，长3.2mm，宽1.6mm，即1206封装；500阻抗（一般为100MHz时），50ohm。其产品参数主要有三项：阻抗[Z]@100MHz(ohm)：Typical50Minimum37；直流电阻DCResistance(mohm)：Maximum20；额定电流RatedCurrent(mA)：2500他等效于电阻和电感串联，但电阻值和电感值都随频率变化。他比普通的电感有更好的高频滤波特性，在高频时呈现阻性，所以能在相当宽的频率范围内保持较高的阻抗，从而提高调频滤波效果。涡流损耗随信号频率的平方成正比。光明区常规APV电感结构

但在有直流或交流偏流的情况下，还存在铁氧体饱和的问题，抑制元件横截面越大，越不易饱和，可承受的偏流越大。EMI吸收磁环/磁珠抑制差模干扰时，通过它的电流值正比于其体积，两者失调造成饱和，降低了元件性能；抑制共模干扰时，将电源的两根线（正负）同时穿过一个磁环，有效信号为差模信号，EMI吸收磁环/磁珠对其没有任何影响，而对于共模信号则会表现出较大的电感量。磁环的使用中还有一个较好的方法是让穿过的磁环的导线反复绕几下，以增加电感量。坪山区标准APV电感是什么磁环的使用中还有一个较好的方法是让穿过的磁环的导线反复绕几下，以增加电感量。

通常镍材磁芯带宽，Q值与U之间有一个平衡关系，U值越高Q值就越低，反之亦是。U值低频工作困难，但损耗小，U值高低频工作较易，但磁芯损耗太大，功率损耗也大，基本上难于连续工作。使用U值400的磁环应该可以大幅降低磁损耗。虽然电感量低了些，但可以增加绕线圈数来解决。以1:4变压器为例子，1圈的初级改成两圈；2圈的次级改为4圈。这样绕线总长度要增加一倍，传输频率也要相应降低。居里温度一般磁环居里温度110℃，达到这一温度以后立刻失去磁性，有如空气介质一般；恢复室温以后，磁性能发生了性改变，磁导率降低了10%。

④Y5V电容器Y5V电容器是一种有一定温度限制的通用电容器，在-30℃到+85℃范围内其容量变化可以达到+22%至-82%，另外介质损耗可以达到5%。但是Y5V的高介电常数允许在较小的物理尺寸下制造出高达4．7μF的电容器。下面是用以说明片式电容器性能的主要技术指标：①容量与误差：实际电容量和标称电容量允许的偏差范围。常用的电容器其精度等级和电阻器的表示方法相同。用字母表示：D级：±0．5%；F级：±1%；G级：±2%；J级：±5%；K级：±10%；M级：±20%。因为磁珠的单位是按照它在某一频率 产生的阻抗来标称的，阻抗的单位也是欧姆。

所以当这类电容器的存放时间超过1000小时后所发生的容量偏低现象不属于产品的质量问题，其特性是符合国际规范的。对于容量偏低的电容器的通用解决办法是，即将电容器放在150℃左右的环境下预热1小时。其电容量就恢复正常值。2 片式电容器在设备电磁干扰抑制中的应用片式电容器在一般电子电路中的主要应用有：滤波、耦合、去耦、旁路、谐振、时间常数(定时)和反馈等等。其中：①滤波：并联在电源电路的正负极之间，把电路中无用的交流去掉(或将整流后的单向脉动电压中的交流分量滤掉，使单向脉动变成平滑的直流)。BGL（H）型磁珠，也称高损耗电感器，该产品在极宽的频带范围内具有优良的抑制噪声性能。南山区制作APV电感性能

磁珠对高频信号才有较大阻碍作用，一般规格有100欧/100mMHZ它在低频时电阻比电感小得多。光明区常规APV电感结构

铁氧体抑制元件广泛应用于印制电路板、电源线和数据线上。如在印制板的电源线入口端加上铁氧体抑制元件，就可以滤除高频干扰。铁氧体磁环或磁珠于抑制信号线、电源线上的高频干扰和尖峰干扰，它也具有吸收静电放电脉冲干扰的能力。两个元件的数值大小与磁珠的长度成正比，而且磁珠的长度对抑制效果有明显影响，磁珠长度越长抑制效果越好。磁珠作为电源滤波，可以使用电感。磁珠的电路符号就是电感但是型号上可以看出使用的是磁珠在电路功能上，磁珠和电感是原理相同的，只是频率特性不同罢了磁珠由氧磁体组成。磁珠对高频信号才有较大阻碍作用，一般规格有100欧/100mMHZ,它在低频时电阻比电感小得多。铁氧体磁珠(FerriteBead)是应用发展很快的一种抗干扰组件，廉价、易用，滤除高频噪声效果显着。光明区常规APV电感结构

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