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通常高频信号为30MHz以上，然而，低频信号也会受到片式磁珠的影响。磁珠有很高的电阻率和磁导率，等效于电阻和电感串联。在电路中只要导线穿过它即可。高频电流在其中以热量形式散发，其等效电路为一个电感和一个电阻串联，两个组件的值都与磁珠的长度成比例。有的磁珠上有多个孔洞，用导线穿过可增加组件阻抗（穿过磁珠次数的平方）。铁氧体磁珠不仅可用于电源电路中滤除高频噪声（可用于直流和交流输出），还可广泛应用于其它电路 [1]  。电感多用于电源滤波回路，侧重于抑止传导性干扰；坪山区制作APV电感检测

常用的陶瓷介质的主要成分是MgTiO3、CaTiO3、SrTiO3和TiO2再加入适量的稀土类氧化物等配制而成。其特点是介质系数较大、介质损耗低、温度系数小、环境温度适用范围广和高频特性好，用在要求较高的场合(I类瓷介电容器)中。另一类是低频高介材料称为强介铁电陶瓷，常用作Ⅱ类瓷介电容器的介质，一般以BaTiO3为主体的铁电陶瓷，其特点是介电系数特别高，达到数千，甚至上万；但是介电系数随温度呈非线性变化，介电常数随施加的外电场也有非线性关系。福田区优势APV电感量大从优磁珠的单位是欧姆，而不是亨利，这一点要特别注意。

②额定工作电压：电容器在电路中能够长期稳定、可靠工作，所承受的直流电压，又称耐压。对于结构、介质、容量相同的器件，耐压越高，体积越大。③温度系数：在一定温度范围内，温度每变化1℃，电容量的相对变化值。温度系数越小越好。④绝缘电阻：用来表明漏电大小的。一般小容量的电容，绝缘电阻很大，在几百兆欧姆或几千兆欧姆。电解电容的绝缘电阻一般较小。相对而言，绝缘电阻越大越好，漏电也小。⑤损耗：在电场的作用下，电容器在单位时间内发热而消耗的能量。这些损耗主要来自介质损耗和金属损耗。通常用损耗角正切值来表示。

式中，C为电容量；N为电极层数；K为介电常数(俗称K值)；A为相对电极覆盖面积；t为电极间距(介质厚度)。由此式可见，为了实现片式叠层陶瓷电容器大容量和小体积的要求。只要增大N(增加层数)便可增大电容量。当然采用高K值材料(降低稳定性能)、增加A(增大体积)和减小t(降低电压耐受能力)也是可以采取的办法。这里特别说一说介电常数K值，它取决于电容器中填充介质的陶瓷材料。电容器使用的环境温度、工作电压和频率、以及工作的时间(长期工作的稳定性)等对不同的介质会有不同的影响。通常介电常数(K值)越大，稳定性、可靠性和耐用性能越差。不同的铁氧体抑制元件，有不同的抑制频率范围。通常磁导率越高，抑制的频率就越低。

片式磁珠片式磁珠的功能主要是消除存在于传输线结构（PCB电路）中的RF噪声。片式磁珠由软磁铁氧体材料组成，构成高体积电阻率的独石结构。涡流损耗同铁氧体材料的电阻率成反比。涡流损耗随信号频率的平方成正比。 使用片式磁珠的好处：小型化和轻量化。在射频噪声频率范围内具有高阻抗，消除传输线中的电磁干扰。 闭合磁路结构，更好地消除信号的串扰。 极好的磁屏蔽结构。降低直流电阻，以免对有用信号产生过大的衰减。的高频特性和阻抗特性（更好的消除RF能量）。在高频放大电路中消除寄生振荡。谐振电路包括谐振发生电路，振荡电路，时钟电路，脉冲电路，波形发生电路等等。宝安区标准APV电感供应商

表面贴装元件的好处在于小的封装尺寸和能够满足实际空间的要求。坪山区制作APV电感检测

①电容器的使用电压对电容器的电容量有影响，稳定性低的介质，在施加额定工作电压后容量会大幅度下降(见图3)，以至达不到使用效果，这一点在选择电容器时必须给以充分注意(不能一味追求大容量和小体积，必须在容量和使用电压上留有充分余地)。②储存时间对电容器的容量也有影响，对超稳定的电容器，如COG和X7R，随时间增长电容器容量的变化不大。可是Z5U/Y5V这类电容，随时间增长，存放1 000小时的电容量变化可以高达5%～10%，或更大。但是这类电容器容量的老化是可逆的。每次将电容温度升到125℃，老化过程便重新开始。坪山区制作APV电感检测

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