天津德国灰度光刻无掩光刻

2GL将灰度光刻技术与Nanoscribe的双光子聚合技术相结合，可生产折射和衍射微光学以及聚合物母版的原型。该系统配备三个用于实时过程控制的摄像头和一个树脂分配器。为了简化硬件配置之间的转换，物镜和样品夹持器识别会自动运行。多层衍射光学元件（diffractiveopticalelement，DOE）可以通过在扫描平面内调制激光功率来完成，从而减少多层微制造所需的打印时间。Nanoscribe表示，折射微光学也受益于2GL工艺的加工能力，可制作单个光学元件、填充因子高达100%的阵列，以及可以在直接和无掩模工艺中实现各种形状，如球面和非球面透镜。灰度光刻技术自动化程度较高，可以减少人工干预，提高生产效率。天津德国灰度光刻无掩光刻

Quantum X shape在3D微纳加工领域非常出色的精度，比肩于Nanoscribe公司在表面结构应用上突破性的双光子灰度光刻(2GL ®)。全新的Quantum X shape的高精度有赖于其高能力的体素调制比和超精细处理网格，从而实现亚体素的尺寸控制。此外，受益于双光子灰度光刻对体素的微调，该系统在表面微结构的制作上可达到超光滑，同时保持高精度的形状控制。它不只是应用于生物医学、微光学、MEMS、微流道、表面工程学及其他很多领域中器件的快速原型制作的理想工具，同时也成为基于晶圆的小结构单元的批量生产的简易工具。通过系统集成触控屏控制打印文件来很大程度提高实用性。通过系统自带的nanoConnectX软件来进行打印文件的远程监控及多用户的使用配置，实现推动工业标准化及基于晶圆批量效率生产。上海灰度光刻设备成本低：无掩膜光刻技术无需制作昂贵的掩膜版，因此可以降低光刻成本。

超高速灰度光刻技术的应用不仅局限于传统领域，还可以拓展到新兴领域。例如，在新能源领域，它可以用于制造高效的太阳能电池板；在人工智能领域，它可以用于制造更快、更强大的计算芯片。这些应用将进一步推动科技的发展，为人类创造更美好的未来。超高速灰度光刻技术的发展离不开科研人员的不懈努力和创新精神。他们通过不断突破科技边界，攻克了一个又一个难题，从而实现了这一技术的突破。他们的付出为我们带来了更多的机遇和挑战，也为科技进步做出了巨大贡献。超高速灰度光刻技术的问世，标志着科技进步的新里程碑。我们相信，在这项技术的推动下，未来将会有更多的创新和突破。让我们共同期待超高速灰度光刻技术带来的美好未来！

Nanoscribe双光子聚合技术所具有的高设计自由度，可以在各种预先构图的基板上实现波导和混合折射衍射光学器件等3D微纳加工制作。结合Nanoscribe公司的高精度定位系统，可以按设计需要精确地集成复杂的微纳结构。由Nanoscribe研发的IP系列光刻胶是用于特别高分辨率微纳3D打印的标准材料。所打印的亚微米级别分辨率器件具有特别高的形状精度，属于目前市场上易于操作的“负胶”。IP树脂作为高效的打印材料，是Nanoscribe微纳加工解决方案的基本组成部分之一。我们提供针对优化不同光刻胶和应用领域的高级配套软件，从而简化3D打印工作流程并加快科研和工业领域的设计迭代周期，包括仿生表面，微光学元件，机械超材料和3D细胞支架等。在灰度光刻技术的帮助下，芯片制造商可以更好地满足不断增长的市场需求。

Nanoscribe公司Photonic Professional GT2高速3D打印系统制作的高精度器件图登上了刚发布的商业微纳制造杂志“Commercial Micro Manufacturing magazine”（CMM）。Photonic Professional GT2系统把双光子聚合技术融入强大了3D打印工作流程，实现了各种不同的打印方案。双光子聚合技术用于3D微纳结构的增材制造，可以通过激光直写而避免使用昂贵的掩模版和复杂的光刻步骤来创建3D和2.5D微结构制作。另外，还可以实现精度上限的3D打印，突破了微纳米制造的限制。该打印系统的易用性和灵活性的特点配以非常普遍的打印材料选择使其成为理想的实验研究仪器和多用户设施。欢迎咨询纳糯三维科技（上海）有限公司灰度光刻技术具有高精度、高效率的特点。上海灰度光刻三维光刻

Nanoscribe中国分公司-纳糯三维科技（上海）有限公司带您了解微纳3D打印和灰度光刻技术的区别。天津德国灰度光刻无掩光刻

微纳3D打印其实和与灰度光刻有点相似，但是原理不同，我们常见的微纳3D打印技术是双光子聚合和微纳金属3D打印技术，利用该技术我们理论上可以获得任意想要的结构，不光是微透镜阵列结构（如下图5所示），该方法的优势是可以完全按照设计获得想要的结构，对于双光子聚合的微结构，我们需要通过LIGA工艺获得金属模具，但是对于微纳金属3D打印获得的微纳米结构可以直接进行后续的复制工作，并通过纳米压印技术进行复制。灰度光刻的就是利用灰度光刻掩膜版（掩膜接触式光刻）或者计算机控制激光束或者电子束剂量从而达到在某些区域完全曝透，而某些区域光刻胶部分曝光，天津德国灰度光刻无掩光刻