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宝山区常见可控硅性能

来源: 发布时间:2024年06月17日

反向特性当控制极开路,阳极加上反向电压时,J2结正偏,但J1、J3结反偏。此时只能流过很小的反向饱和电流,当电压进一步提高到J1结的雪崩击穿电压后,接差J3结也击穿,电流迅速增加,特性开始弯曲,如特性OR段所示,弯曲处的电压URO叫“反向转折电压”。此时,可控硅会发生性反向。正向特性当控制极开路,阳极上加上正向电压时,J1、J3结正偏,但J2结反偏,这与普通PN结的反向特性相似,也只能流过很小电流,这叫正向阻断状态,当电压增加,特性发生了弯曲,如特性OA段所示,弯曲处的是UBO叫:正向转折电压,由于电压升高到J2结的雪崩击穿电压后,J2结发生雪崩倍增效应,在结区产生大量的电子和空穴,电子时入N1区,空穴时入P2区。可控硅按其封装形式可分为金属封装可控硅、塑封可控硅和陶瓷封装可控硅三种类型。宝山区常见可控硅性能

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双向可控硅固定到散热器的主要方法有三种,夹子压接、螺栓固定和铆接。前二种方法的安装工具很容易取得。 很多场合下,铆接不是一种推荐的方法。 [1]夹子压接:是推荐的方法,热阻小。夹子对器件的塑封施加压力。这同样适用于非绝缘封装(sot82 和sot78 ) 和绝缘封装( sot186 f-pack 和更新的sot186a x-pack)。注意,sot78 就是to220ab。螺栓固定:sot78 组件带有m3 成套安装零件,包括矩形垫圈,垫圈放在螺栓头和接头片之间。应该不对器件的塑料体施加任何力量。青浦区挑选可控硅性能“一触即发”。但是,如果阳极或控制极外加的是反向电压,晶闸管就不能导通。

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“双向可控硅”:是在普通可控硅的基础上发展而成的,它不能代替两只反极性并联的可控硅,而且需一个触发电路,是比较理想的交流开关器件。其英文名称TRIAC即三端双向交流开关之意。双向可控硅为什么称为“TRIAC”?三端:TRIode(取个字母)交流半导体开关:ACsemiconductorswitch(取前两个字母)以上两组名词组合成“TRIAC”三端双向可控硅中文译意“三端双向可控硅开关”。由此可见“TRIAC”是双向可控硅的统称。双 向:Bi-directional(取个字母)控 制:Controlled(取个字母)整流器:Rectifier(取个字母)

因为BG1集电极与BG2基极相连,IC1又是BG2的基极电流Ib2。BG2又把比Ib2(Ib1)放大了β2的集电极电流IC2送回BG1的基极放大。如此循环放大,直到BG1、BG2完全导通。实际这一过程是“一触即发”的过程,对可控硅来说,触发信号加入控制极,可控硅立即导通。导通的时间主要决定于可控硅的性能。可控硅一经触发导通后,由于循环反馈的原因,流入BG1基极的电流已不只是初始的Ib1,而是经过BG1、BG2放大后的电流(β1*β2*Ib1)这一电流远大于Ib1,足以保持BG1的持续导通。双向可控硅在结构上相当于两个单向可控硅反向连接,这种可控硅具有双向导通功能。

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(2)如果主电极T2仍加正向电压,而把触发信号改为反向信号(图5b),这时双向可控硅触发导通后,通态电流的方向仍然是从T2到T1。我们把这种触发叫做“象限的负触发”或称为I-触发方式。(3)两个主电极加上反向电压U12(图5c),输入正向触发信号,双向可控硅导通后,通态电流从T1流向T2。双向可控硅按第三象限特性曲线工作,因此把这种触发叫做Ⅲ+触发方式。 (4)两个主电极仍然加反向电压U12,输入的是反向触发信号(图5d),双向可控硅导通后,通态电流仍从T1流向T2。这种触发就叫做Ⅲ-触发方式。 双向可控硅虽然有以上四种触发方式,但由于负信号触发所需要的触发电压和电流都比较小。工作比较可靠,因此在实际使用时,负触发方式应用较多。双向可控硅虽然有以上四种触发方式,但由于负信号触发所需要的触发电压和电流都比较小。长宁区常见可控硅批发

可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 简称SCR,是一种大功率电器元件,也称晶闸管。宝山区常见可控硅性能

大家使用的是单向晶闸管,也就是人们常说的普通晶闸管,它是由四层半导体材料组成的,有三个PN结,对外有三个电极〔图2(P型半导体引出的电极叫阳极A,第三层P型半导体引出的电极叫控制极G,第四层N型半导体引出的电极叫阴极K。从晶闸管的电路符号〔图2(以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端器件,起始于1957年,因为它的特性类似于真空闸流管,所以国际上通称为硅晶体闸流管,简称晶闸管T,又因为晶闸管初的在静止整流方面,所以又被称之为硅可控整流元件,简称为可控硅SCR。宝山区常见可控硅性能

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