长宁区质量可控硅规格尺寸

2.双向可控硅的触发双向可控硅的触发与单向可控硅相似,可用直流信号,交流相位信号与脉冲信号来触发,所不同的是UA-Az为负电压时,仍可触发双向可控硅。3.双向可控硅的相位控制双向可控硅相位控制电路双向可控硅的相位控制与单向可控硅很类似,但因双向可控硅能双向导通,在正负半周均能触发,可作为全波功率控制之用.因此双向可控硅除具有单向可控硅的优点,更方便交流功率控制。右图(a)为双向可控硅相位控制电路à电子技术中,常把交流电的半个周期定为180°，称为电角度。这样,在交流电的正、负半周,从规定时刻(通常为零值)，开始到触发脉冲到来瞬间所经历的电角度称为控制角αz晶闸管导通期间所对应的电角度叫导通角0。在右图(a)中,适当调整触发电路的RC时间常数即可改变它的控制角。右图(b)(c)分别是控制角为30°和导通:角150°时的UAi-z及负载的电压波形。一般双向可控硅所能控制的负载远比单向可控硅小,大体上而言约在600 V,40 A以下。它除了其中一个电极G仍叫做控制极外，另外两个电极通常却不再叫做阳极和阴极，而统称为主电极Tl和T2。长宁区质量可控硅规格尺寸

可控硅有多种分类方法。（一）按关断、导通及控制方式分类：可控硅按其关断、导通及控制方式可分为普通可控硅、双向可控硅、逆导可控硅、门极关断可控硅（GTO）、BTG可控硅、温控可控硅和光控可控硅等多种。TY300/TY301可控硅调压单元（二）按引脚和极性分类：可控硅按其引脚和极性可分为二极可控硅、三极可控硅和四极可控硅。（三）按封装形式分类：可控硅按其封装形式可分为金属封装可控硅、塑封可控硅和陶瓷封装可控硅三种类型。其中，金属封装可控硅又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种；塑封可控硅又分为带散热片型和不带散热片型两种。金山区优势可控硅规格尺寸双向可控硅的特性曲线是由一、三两个象限内的曲线组合成的。

SCR1、SCR2选用封装好的可控硅模块(110A/1000V)，SCR3选用BTl36，即600V的双向可控硅。本电路如用于感性负载，应增加R4，C3阻容吸收电路及压敏电阻RV作过压保护，防止负载断开和接通瞬间产生很高的感应电压损坏可控硅。右图双向可控硅的伏安特性曲线,将此图与单向可控硅特性曲线比较,可看出双向可控硅的特性曲线与单向可控硅类似,只是双向可控硅正负电压均能导通,所以第三象限曲线与象限曲线类似,故双向可控硅可视为两个单向可控硅反相并联,双向可控硅的A、一A的击穿电压也不同,即可看出正负半周的电压皆可以使双向可控硅导通。一般使双向可控硅截止的方法与单向可控硅相同，即设法降低两阳极间的电流到保持电流以下,双向可控硅即截止。

(2)可控硅由关断转为导通必须同时具备两个条件:(1〕受正向阳极电压;(2)受正向门极电压。(3)可控硅导通后，当阳极电流小干维持电流In时.可控硅关断。(4)可控硅的特性主要是:1.阳极伏安特性曲线，2.门极伏安特性区。(5)应在额定参数范围内使用可控硅。选择可控硅主要确定两个参致:电流⒈ 额定通态电流（IT）即稳定工作电流，俗称电流。常用可控硅的IT一般为一安到几十安。⒉反向重复峰值电压（VRRM）或断态重复峰值电压（VDRM），俗称耐压。常用可控硅的VRRM/VDRM一般为几百伏到一千伏。可控硅从外形上分类主要有：螺栓形、平板形和平底形。

由于在双向可控硅的主电极上，无论加以正向电压或是反向电压，也不管触发信号是正向还是反向，它都能被触发导通，因此它有以下四种触发方式：(1)当主电极T2对Tl所加的电压为正向电压，控制极G对电极Tl所加的也是正向触发信号（图5a）。双向可控硅触发导通后，电流I2l的方向从T2流向T1。由特性曲线可这时双向可控硅触发导通规律是按第二象限的特性进行的，又因为触发信号是正向的，所以把这种触发叫做“象限的正向触发”或称为I+触发方式。可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 简称SCR，是一种大功率电器元件，也称晶闸管。长宁区质量可控硅规格尺寸

它的型号，在我国一般用“3CTS”或“KS”表示；长宁区质量可控硅规格尺寸

反向特性当控制极开路，阳极加上反向电压时，J2结正偏，但J1、J3结反偏。此时只能流过很小的反向饱和电流，当电压进一步提高到J1结的雪崩击穿电压后，接差J3结也击穿，电流迅速增加，特性开始弯曲，如特性OR段所示，弯曲处的电压URO叫“反向转折电压”。此时，可控硅会发生性反向。正向特性当控制极开路，阳极上加上正向电压时，J1、J3结正偏，但J2结反偏，这与普通PN结的反向特性相似，也只能流过很小电流，这叫正向阻断状态，当电压增加，特性发生了弯曲，如特性OA段所示，弯曲处的是UBO叫：正向转折电压，由于电压升高到J2结的雪崩击穿电压后，J2结发生雪崩倍增效应，在结区产生大量的电子和空穴，电子时入N1区，空穴时入P2区。长宁区质量可控硅规格尺寸

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