金山区常规整流二极管按需定制

（7）零偏压电容CO：指二极管两端电压为零时，扩散电容及结电容的容量之和。值得注意的是，由于制造工艺的限制，即使同一型号的二极管其参数的离散性也很大。手册中给出的参数往往是一个范围，若测试条件改变，则相应的参数也会发生变化，例如在25°C时测得1N5200系列硅塑封整流二极管的IR小于10uA，而在100°C时IR则变为小于500uA。（1）防雷、过电压保护措施不力。整流装置未设置防雷、过电压保护装置，即使设置了防雷、过电压保护装置，但其工作不可靠，因雷击或过电压而损坏整流管。若大于此值，则反向电流(IR)剧增，二极管的单向导电性被破坏，从而引起反向击穿。金山区常规整流二极管按需定制

当外加电压施加在PN结上时，会发生两种情况：正向偏置：当正向电压施加在PN结上时，即P区域连接正极，N区域连接负极，电子会被推向P区域，空穴会被推向N区域。这导致电流通过整流二极管，使其处于导通状态。在正向偏置下，整流二极管的正向电压降很小，几乎可以忽略不计。反向偏置：当反向电压施加在PN结上时，即P区域连接负极，N区域连接正极，电子会被吸引到N区域，空穴会被吸引到P区域。这导致电流无法通过整流二极管，使其处于截止状态。在反向偏置下，整流二极管的反向电压降较大，通常为正向电压降的几倍。虹口区生产整流二极管规格尺寸例如1N4000系列二极管的IF为1A。

整流二极管损坏后，可以用同型号的整流二极管或参数相同其它型号整流二极管代换。通常，高耐压值（反向电压）的整流二极管可以代换低耐压值的整流二极管，而低耐压值的整流二极管不能代换高耐压值的整流二极管。整流电流值高的二极管可以代换整流电流值低的二极管，而整流电流值低的二极管则不能代换整流电流值高的二极管。首先将整流器中的整流二极管全部拆下，用万用表的100×R或1000×R欧姆档，测量整流二极管的两根引出线(头、尾对调各测一次)。若两次测得的电阻值相差很大，例如电阻值大的高达几百KΩ到无穷大，而电阻值小的几百Ω甚至更小，说明该二极管是好的(发生了软击穿的二极管除外)。若两次测得的电阻值几乎相等，而且电阻值很小，说明该二极管已被击穿损坏，不能使用。如果两次测量的阻值都是无穷大，说明此二极管已经内部断开，不能使用。

2．交流输入电流限制整流器/充电机应有交流输入电流限制电路，一般将交流输入电流限制到满载输入电流的115%。在发电机组供电时（此时整流器会接收到一个外部低电压信号，据此判断为是发电机组供电），应将交流输入电流限制到满载输入电流的100%。3．蓄电池充电电流限制整流器/充电机应有蓄电池充电电流限流电路，将蓄电池充电电流限制到UPS额定输出容量（KW）的15%。在发电机组供电时（当接收到一个外部低电压信号时），应将蓄电池充电电流限制到零。整流二极管损坏后，可以用同型号的整流二极管或参数相同其它型号整流二极管代换。

通过正向偏置和反向偏置的切换，整流二极管可以实现将交流电转换为直流电。在交流电输入时，整流二极管只允许电流在一个方向上通过，从而实现了电流的单向传输。这是整流二极管的基本工作原理。整流二极管是一种常见的电子元件，用于将交流电转换为直流电。它的结构特点如下：PN结：整流二极管由P型半导体和N型半导体组成，形成PN结。P型半导体具有正电荷载流子（空穴），N型半导体具有负电荷载流子（电子）。PN结的形成使得整流二极管具有单向导电性质。还有一种肖特基整流二极管。黄浦区质量整流二极管特点

其一，反向截止电压的承受能力较低，产品大约为100V;金山区常规整流二极管按需定制

外加电压使P区相对N区为正的电压时，位垒降低，位垒两侧附近产生储存载流子，能通过大电流，具有低的电压降（典型值为0.7V）,称为正向导通状态。若加相反的电压,使位垒增加，可承受高的反向电压，流过很小的反向电流（称反向漏电流），称为反向阻断状态。整流二极管具有明显的单向导电性。整流二极管可用半导体锗或硅等材料制造。硅整流二极管的击穿电压高，反向漏电流小，高温性能良好。通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造（掺杂较多时容易反向击穿）。这种器件的结面积较大，能通过较大电流（可达上千安），但工作频率不高，一般在几十千赫以下。整流二极管主要用于各种低频半波整流电路，如需达到全波整流需连成整流桥使用。图1 常用二极管的符号图2 二极管结构选用金山区常规整流二极管按需定制

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