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3、关于转换电流变化率当负载电流增大，电源频率的增高或电源为非正弦波时，会使转换电流变化率变高，这种情况易在感性负载的情况下发生，很容易导致器件的损坏。此时可以在负载回路中串联一只几毫亨的空气电感。4、关于可控硅(晶闸管)开路电压变化率DVD/DT在处于截止状态的双向可控硅(晶闸管)两端加一个小于它的VDFM的高速变化的电压时，内部电容的电流会产生足够的栅电流来使可控硅(晶闸管)导通。这在高温下尤为严重，在这种情况下可以在MT1和MT2间加一个RC缓冲电路来限制VD/DT，或可采用高速可控硅(晶闸管)。双向可控硅的特性曲线是由一、三两个象限内的曲线组合成的。嘉定区常见可控硅批发

双向可控硅属于NPNPN五层器件，三个电极分别是T1、T2、G。因该器件可以双向导通，故除门极G以外的两个电极统称为主端子，用T1、T2表示，不再划分成阳极或阴极。其特点是，当G极和T2极相对于T1，的电压均为正时，T2是阳极，T1是阴极。反之，当G极和T2极相对于T1的电压均为负时，T1变成阳极，T2为阴极。双向可控硅由于正、反向特性曲线具有对称性，所以它可在任何一个方向导通。双向可控硅阳极A1与第二阳极A2间，无论所加电压极性是正向还是反向，只要控制极G和阳极A1间加有正负极性不同的触发电压，就可触发导通呈低阻状态。此时A1、A2间压降也约1V。双向可控硅一旦导通，即使失去触发电压，也能继续保持导通状态。只有当阳极A1、第二阳极A2电流减小，小于维持电流或A1、A2间当电压极性改变且没有触发电压时，双向可控硅才截断，此时只有重新加触发电压方可导通。奉贤区品牌可控硅特点再按一下按钮开关SB，给控制极输入一个触发电压，小灯泡亮了，说明晶闸管导通了。

双向可控硅等效于两只单向可控硅反向并联而成。即其中一只单向硅阳极与另一只阴极相边连，其引出端称T1极，其中一只单向硅阴极与另一只阳极相连，其引出端称T2极，剩下则为控制极（G）。1、单、双向可控硅的判别：先任测两个极，若正、反测指针均不动（R×1挡），可能是A、K或G、A极（对单向可控硅）也可能是T2、T1或T2、G极（对双向可控硅）。若其中有一次测量指示为几十至几百欧，则必为单向可控硅。且红笔所接为K极，黑笔接的为G极，剩下即为A极。若正、反向测指示均为几十至几百欧，则必为双向可控硅。再将旋钮拨至R×1或R×10挡复测，其中必有一次阻值稍大，则稍大的一次红笔接的为G极，黑笔所接为T1极，余下是T2极。

因为BG1集电极与BG2基极相连，IC1又是BG2的基极电流Ib2。BG2又把比Ib2（Ib1）放大了β2的集电极电流IC2送回BG1的基极放大。如此循环放大，直到BG1、BG2完全导通。实际这一过程是“一触即发”的过程，对可控硅来说，触发信号加入控制极，可控硅立即导通。导通的时间主要决定于可控硅的性能。可控硅一经触发导通后，由于循环反馈的原因，流入BG1基极的电流已不只是初始的Ib1，而是经过BG1、BG2放大后的电流（β1*β2*Ib1）这一电流远大于Ib1，足以保持BG1的持续导通。它只有导通和关断两种状态。

SCR1、SCR2选用封装好的可控硅模块(110A/1000V)，SCR3选用BTl36，即600V的双向可控硅。本电路如用于感性负载，应增加R4，C3阻容吸收电路及压敏电阻RV作过压保护，防止负载断开和接通瞬间产生很高的感应电压损坏可控硅。右图双向可控硅的伏安特性曲线,将此图与单向可控硅特性曲线比较,可看出双向可控硅的特性曲线与单向可控硅类似,只是双向可控硅正负电压均能导通,所以第三象限曲线与象限曲线类似,故双向可控硅可视为两个单向可控硅反相并联,双向可控硅的A、一A的击穿电压也不同,即可看出正负半周的电压皆可以使双向可控硅导通。一般使双向可控硅截止的方法与单向可控硅相同，即设法降低两阳极间的电流到保持电流以下,双向可控硅即截止。可控硅的特性主要是:1.阳极伏安特性曲线，2.门极伏安特性区。宝山区生产可控硅结构

可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 简称SCR，是一种大功率电器元件，也称晶闸管。嘉定区常见可控硅批发

2.双向可控硅的触发双向可控硅的触发与单向可控硅相似,可用直流信号,交流相位信号与脉冲信号来触发,所不同的是UA-Az为负电压时,仍可触发双向可控硅。3.双向可控硅的相位控制双向可控硅相位控制电路双向可控硅的相位控制与单向可控硅很类似,但因双向可控硅能双向导通,在正负半周均能触发,可作为全波功率控制之用.因此双向可控硅除具有单向可控硅的优点,更方便交流功率控制。右图(a)为双向可控硅相位控制电路à电子技术中,常把交流电的半个周期定为180°，称为电角度。这样,在交流电的正、负半周,从规定时刻(通常为零值)，开始到触发脉冲到来瞬间所经历的电角度称为控制角αz晶闸管导通期间所对应的电角度叫导通角0。在右图(a)中,适当调整触发电路的RC时间常数即可改变它的控制角。右图(b)(c)分别是控制角为30°和导通:角150°时的UAi-z及负载的电压波形。一般双向可控硅所能控制的负载远比单向可控硅小,大体上而言约在600 V,40 A以下。嘉定区常见可控硅批发

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